隨著年代的推移，內存條的制造技術也在不斷的攀升，DDR/DDR2/DDR3內存條“朝代”也在新老更替，而這個過程并沒有結束，現有的DDR4和DDR5內存條，也正在不斷創造普及條件，如果你不明白如何區別DDR1/DDR2/DDR3內存條，可以閱讀下文了解DDR、DDR2和DDR3之間的區別和分辨方法。

　　科技在進步，當然內存條的生產技術也在發展，這就導致了DDR1、DDR2、DDR3內存條的產生，各代差別如下：

　　ddr 1，2，3代內存的外觀區別

　　DDR1：

　　一個缺口、單面92針腳、雙面184針腳、左52右40、內存顆粒長方形。

　　DDR2：

　　一個缺口、單面120針腳、雙面240針腳、左64右56、內存顆粒正方形、電壓1.8V。

　　DDR3：

　　一個缺口、單面120針腳、雙面240針腳、左72右48、內存顆粒正方形、電壓1.5V。

　　其工作電壓一直在降低，因此在性能提升的同時，功耗也在逐漸變小。

　　至于說到主板上的插槽，三者都不一樣，在內存接口上有一個小缺口，DDR DDR2 DDR3內存的每種內存的接口都不會同一位置，因此只能插在購買時得先看好主板上插槽支持那種內存再進行購買內存。而且這三種內存條是不能兼容。

　　DDR DDR2 DDR3在內存容量上的區別

　　現在家用電腦誰不是2G的？8G以上的都不少見吧？一些游戲玩家最低要求都是4G吧？如果這事放在零幾年那時誰信？

　　DDR1最小的內存只有64M最大的也只有1G的容量，2代的DDR 最少的是256M最大的都已經是4M了。當然DDR2 4G用的人少一般常見的都是1Gx2這樣使用的。而DDR3現在最小的都是512M最大的都已經是8G了。一般都是4Gx2這樣使用。或者2Gx2這樣使用。

　　DDR DDR2 DDR3在封裝區別

　　早期的DDR封閉顆粒是TSOP，而從DDR2和DDR3開始使用FBGA封裝，而DDR2使用的是8bit芯片使用60球/68球/84球FBGA封裝三種規格，而DDR3采用的是16bit芯片使用96球FBGA封裝，而且DDR3必須是綠色封裝，不能包含任何有害的物質。

　　參考電壓分成兩個在DDR3系統中，對于內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數據總線服務的VREFDQ，這將有效地提高系統數據總線的信噪等級。

　　DDR DDR2 DDR3在突發長度（BurstLength，BL）

　　由于DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（BurstLength，BL）也固定為8，平而DDR的傳輸周期是2，而DDR2是4。

　　DDR DDR2 DDR3在邏輯Bank數量上的區別

　　DDR中有2個Bank和4個Bank。DDR2有4個Bank和8個Bank。而到DDR3的時候已經是8個Bank和16個Bank了。目前就是應對未來大容量芯片的要求，而DDR3很可能將從2G起步，因此邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16邏輯Bank做好了準備。

　　DDR DDR2 DDR3的尋址時序區別（Timing）

　　延遲周期數從DDR一代到二代再到三代內存一加一直在增加，三代內存的CL周期也將比二代內存有相應的提高。二代內存的CL范圍一般在2到5之間，而二代內存已經增加到5到11之間，并且三代內存延遲（AL）的設計也有所變化。二代內存時AL的范圍是0到4，而三代內存時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，三代內存還新增加了一個時序參數-寫入延遲。

　　相對于DDR DDR2，DDR3新增的功能

　　DDR新增加重置功能， 新增加的重置是DDR3一項重要功能，并且為此功能還專門準備了一個引腳。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內存將停止所有操作，并切換至最少量活動狀態，以節約電力。

　　DDR3新增ZQ校準功能，ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（On-DieCalibrationEngine，ODCE）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令后，將用相應的時鐘周期（在加電與初始化之后用512個時鐘周期，在退出自刷新操作后用256個時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。

　　以上便是關于DDR、DDR2和DDR3之間的區別和分辨方法，當然用戶若是沒有實際測量工具，可以使用第三方軟件進行檢測，但檢測信息并非絕對正確的。